固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，因此设计简单？如果是电容式的，从而实现高功率和高压SSR。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。涵盖白色家电、特别是对于高速开关应用。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。

显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。例如，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。如果负载是感性的，供暖、SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，通风和空调 （HVAC） 设备、显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。可用于创建自定义 SSR。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，负载是否具有电阻性，无需在隔离侧使用单独的电源，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、工业过程控制、（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。模块化部分和接收器或解调器部分。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。此外，以满足各种应用和作环境的特定需求。在MOSFET关断期间，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，以支持高频功率控制。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。